一、鋁氧化的工藝流程：

1、上架；水洗；低溫拋光；

2、磨砂料及磨砂電泳料氧化；

3、上色料及上色電泳料氧化；

二、上料：

1、型材上料前應(yīng)將吊桿接觸面打磨潔凈，并按規(guī)范支數(shù)上料，其核算公式：上料支數(shù)=規(guī)范電流規(guī)范電流密度單支型材面積；

2、上架支數(shù)的考慮原則：

a、硅機(jī)容量利用率不大于95%；

b、電流密度取1.0-1.2A/dm；

c、型材形狀和兩支型材之間留必要的間隙

 

 

3、氧化時(shí)刻的核算：氧化時(shí)刻（t）=膜厚K·電流密度K為電解常數(shù)，取0.26-0.32，t單位為分鐘；

4、上排時(shí)須依照《型材面積及上排支數(shù)表》規(guī)則的支數(shù)上架；

5、為了便于排液和排氣，上排捆扎時(shí)應(yīng)傾斜，傾斜度5°為宜；

6、兩端可超出導(dǎo)電桿10-20mm，多不得大于50mm。

三、低溫拋光工藝

1、低溫拋光槽中低溫拋光劑濃度控制為總酸25-30g/1，低≥15g/1；

2、拋光槽溫20-30℃不得低于20℃，拋光時(shí)間90一200s；

3、提架傾斜，滴凈殘液后，迅速放入清水槽中漂洗，經(jīng)兩道水洗后迅速放入氧化槽氧化，在水槽中停留時(shí)間不應(yīng)大于3分鐘；

4、低溫拋光材料在拋光前不得進(jìn)行其它方式的處理，也不能將其它槽液帶入拋光槽中。

 

 

四、除油工藝；

1、在室溫酸液中進(jìn)行，時(shí)間2-4分鐘，H2S04濃度140-160g/1；

2、提架傾斜滴凈殘液后，放入清水槽中清洗1-2分鐘。

五、磨砂（酸蝕）工藝

1、除油后在清水槽清洗再進(jìn)入酸蝕槽；

2、工藝參數(shù)：NH4HF4濃度30-35g/1，溫度35-40℃，PH值2.8-3.2，酸蝕時(shí)間3-5分鐘；

3、酸蝕結(jié)束后經(jīng)兩道水洗再進(jìn)入堿蝕槽。